Meta tag

Samsung Electronics

2 članka

Why tunneling inside V-NAND matters during erase stress

db#4850

Samsung prati što se u flash memoriji dogodi kad se brisanje gurne predaleko

Novi rad o V-NAND flash memoriji ne lovi marketinški rekord kapaciteta, nego problem koji se pojavljuje duboko u strukturi ćelije kada je brisanje gurnuto predaleko.

26 May 2026

Samsung memory bonus dispute exposes a wider chip-division rift

DruštvoPrepravljeno

db#4720

Samsungov spor oko bonusa sad koči put memorije do AI čipova

Samsungov interni spor oko bonusa više ne izgleda kao računovodstvena fusnota, nego kao operativni problem za dijelove lanca koji trebaju hraniti AI čipove.

23 May 2026

🇬🇧 EN